EPC2100ENGRT

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	EPC2100ENGRT
Виробник	EPC
опис	GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - матриці
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	EPC2100ENGRT PDF

Доступність

В наявності	78 312
Ціна за одиницю	$ 5.18320

EPC2100ENGRT Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

EPC2100ENGRT Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	eGaN®
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус частини:	Active
фет типу:	2 N-Channel (Half Bridge)
функція fet:	GaNFET (Gallium Nitride)
напруга відведення до джерела (vdss):	30V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	10A (Ta), 40A (Ta)
rds on (max) @ id, vgs:	8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
потужність - макс:	-
Робоча температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип монтажу:	Surface Mount
пакет / футляр:	Die
пакет пристрою постачальника:	Die

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.