SIZ350DT-T1-GE3

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	SIZ350DT-T1-GE3
Виробник	Vishay / Siliconix
опис	MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - матриці
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	SIZ350DT-T1-GE3 PDF

Доступність

В наявності	6 004
Ціна за одиницю	$ 1.19000

SIZ350DT-T1-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SIZ350DT-T1-GE3 Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	TrenchFET® Gen IV
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус частини:	Active
фет типу:	2 N-Channel (Dual)
функція fet:	Standard
напруга відведення до джерела (vdss):	30V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	18.5A (Ta), 30A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:	6.75mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	20.3nC @ 10V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	940pF @ 15V
потужність - макс:	3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Робоча температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип монтажу:	Surface Mount
пакет / футляр:	8-PowerWDFN
пакет пристрою постачальника:	8-Power33 (3x3)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.