EPC2016C

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	EPC2016C
Виробник	EPC
опис	GANFET N-CH 100V 18A DIE
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	EPC2016C PDF

Доступність

В наявності	134 646
Ціна за одиницю	$ 2.45000

EPC2016C Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

EPC2016C Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	eGaN®
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус частини:	Active
фет типу:	N-Channel
технології:	GaNFET (Gallium Nitride)
напруга відведення до джерела (vdss):	100 V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	18A (Ta)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	5V
rds on (max) @ id, vgs:	16mOhm @ 11A, 5V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 3mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	4.5 nC @ 5 V
vgs (макс.):	+6V, -4V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	420 pF @ 50 V
функція fet:	-
Розсіювана потужність (макс.):	-
Робоча температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип монтажу:	Surface Mount
пакет пристрою постачальника:	Die
пакет / футляр:	Die

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.