TK100E06N1,S1X

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	TK100E06N1,S1X
Виробник	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
опис	MOSFET N CH 60V 100A TO-220
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	TK100E06N1,S1X PDF

Доступність

В наявності	932 450
Ціна за одиницю	$ 2.62000

TK100E06N1,S1X Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

TK100E06N1,S1X Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	U-MOSVIII-H
пакет:	Tube
статус частини:	Active
фет типу:	N-Channel
технології:	MOSFET (Metal Oxide)
напруга відведення до джерела (vdss):	60 V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	100A (Ta)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	2.3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 1mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	140 nC @ 10 V
vgs (макс.):	±20V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	10500 pF @ 30 V
функція fet:	-
Розсіювана потужність (макс.):	255W (Tc)
Робоча температура:	150°C (TJ)
тип монтажу:	Through Hole
пакет пристрою постачальника:	TO-220
пакет / футляр:	TO-220-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.