IRF40H210

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	IRF40H210
Виробник	Rochester Electronics
опис	MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	IRF40H210 PDF

Доступність

В наявності	7 883
Ціна за одиницю	$ 0.56000

IRF40H210 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IRF40H210 Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	HEXFET®, StrongIRFET™
пакет:	Bulk
статус частини:	Active
фет типу:	N-Channel
технології:	MOSFET (Metal Oxide)
напруга відведення до джерела (vdss):	40 V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	100A (Tc)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.7V @ 150µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	152 nC @ 10 V
vgs (макс.):	±20V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	5.406 pF @ 25 V
функція fet:	-
Розсіювана потужність (макс.):	125W (Tc)
Робоча температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип монтажу:	Surface Mount
пакет пристрою постачальника:	8-PQFN (5x6)
пакет / футляр:	8-PowerVDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.