IXFP4N100P

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	IXFP4N100P
Виробник	Wickmann / Littelfuse
опис	MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	IXFP4N100P PDF

Доступність

В наявності	900
Ціна за одиницю	$ 2.23850

IXFP4N100P Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IXFP4N100P Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	HiPerFET™, PolarP2™
пакет:	Tube
статус частини:	Active
фет типу:	N-Channel
технології:	MOSFET (Metal Oxide)
напруга відведення до джерела (vdss):	1000 V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	4A (Tc)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	3.3Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	26 nC @ 10 V
vgs (макс.):	±20V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	1456 pF @ 25 V
функція fet:	-
Розсіювана потужність (макс.):	150W (Tc)
Робоча температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип монтажу:	Through Hole
пакет пристрою постачальника:	TO-220AB
пакет / футляр:	TO-220-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.