R6009JND3TL1

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	R6009JND3TL1
Виробник	ROHM Semiconductor
опис	MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Доступність

В наявності	2 566
Ціна за одиницю	$ 2.36000

R6009JND3TL1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

R6009JND3TL1 Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	-
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус частини:	Active
фет типу:	N-Channel
технології:	MOSFET (Metal Oxide)
напруга відведення до джерела (vdss):	600 V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	9A (Tc)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	15V
rds on (max) @ id, vgs:	585mOhm @ 4.5A, 15V
vgs(th) (макс.) @ id:	7V @ 1.38mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	22 nC @ 15 V
vgs (макс.):	±30V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	645 pF @ 100 V
функція fet:	-
Розсіювана потужність (макс.):	125W (Tc)
Робоча температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип монтажу:	Surface Mount
пакет пристрою постачальника:	TO-252
пакет / футляр:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.