SCT2120AFC

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	SCT2120AFC
Виробник	ROHM Semiconductor
опис	SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	SCT2120AFC PDF

Доступність

В наявності	1 689
Ціна за одиницю	$ 14.28000

SCT2120AFC Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SCT2120AFC Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	-
пакет:	Tube
статус частини:	Obsolete
фет типу:	N-Channel
технології:	SiCFET (Silicon Carbide)
напруга відведення до джерела (vdss):	650 V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	29A (Tc)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	18V
rds on (max) @ id, vgs:	156mOhm @ 10A, 18V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 3.3mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	61 nC @ 18 V
vgs (макс.):	+22V, -6V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	1200 pF @ 500 V
функція fet:	-
Розсіювана потужність (макс.):	165W (Tc)
Робоча температура:	175°C (TJ)
тип монтажу:	Through Hole
пакет пристрою постачальника:	TO-220AB
пакет / футляр:	TO-220-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.