SCT2750NYTB

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	SCT2750NYTB
Виробник	ROHM Semiconductor
опис	SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	SCT2750NYTB PDF

Доступність

В наявності	1 462
Ціна за одиницю	$ 6.79000

SCT2750NYTB Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SCT2750NYTB Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	-
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус частини:	Active
фет типу:	N-Channel
технології:	SiCFET (Silicon Carbide)
напруга відведення до джерела (vdss):	1700 V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	5.9A (Tc)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	18V
rds on (max) @ id, vgs:	975mOhm @ 1.7A, 18V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 630µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	17 nC @ 18 V
vgs (макс.):	+22V, -6V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	275 pF @ 800 V
функція fet:	-
Розсіювана потужність (макс.):	57W (Tc)
Робоча температура:	175°C (TJ)
тип монтажу:	Surface Mount
пакет пристрою постачальника:	TO-268
пакет / футляр:	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.