IMW120R030M1HXKSA1

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	IMW120R030M1HXKSA1
Виробник	IR (Infineon Technologies)
опис	SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	IMW120R030M1HXKSA1 PDF

Доступність

В наявності	668
Ціна за одиницю	$ 22.83000

IMW120R030M1HXKSA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IMW120R030M1HXKSA1 Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	CoolSiC™
пакет:	Tube
статус частини:	Active
фет типу:	N-Channel
технології:	SiCFET (Silicon Carbide)
напруга відведення до джерела (vdss):	1.2 kV
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	56A (Tc)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	15V, 18V
rds on (max) @ id, vgs:	40mOhm @ 25A, 18V
vgs(th) (макс.) @ id:	5.7V @ 10mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	63 nC @ 18 V
vgs (макс.):	+23V, -7V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	2.12 nF @ 800 V
функція fet:	-
Розсіювана потужність (макс.):	227W (Tc)
Робоча температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип монтажу:	Through Hole
пакет пристрою постачальника:	PG-TO247-3-41
пакет / футляр:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.