IMBG120R090M1HXTMA1

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	IMBG120R090M1HXTMA1
Виробник	IR (Infineon Technologies)
опис	TRANS SJT N-CH 1.2KV 26A TO263
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	IMBG120R090M1HXTMA1 PDF

Доступність

В наявності	466 828
Ціна за одиницю	$ 14.47000

IMBG120R090M1HXTMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IMBG120R090M1HXTMA1 Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	CoolSiC™
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус частини:	Active
фет типу:	N-Channel
технології:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
напруга відведення до джерела (vdss):	1.2 kV
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	26A (Tc)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	-
rds on (max) @ id, vgs:	125mOhm @ 8.5A, 18V
vgs(th) (макс.) @ id:	5.7V @ 3.7mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	23 nC @ 18 V
vgs (макс.):	+18V, -15V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	763 pF @ 800 V
функція fet:	Standard
Розсіювана потужність (макс.):	136W (Tc)
Робоча температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип монтажу:	Surface Mount
пакет пристрою постачальника:	PG-TO263-7-12
пакет / футляр:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.