TK14G65W,RQ

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	TK14G65W,RQ
Виробник	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
опис	MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	TK14G65W,RQ PDF

Доступність

В наявності	2 795
Ціна за одиницю	$ 2.34000

TK14G65W,RQ Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

TK14G65W,RQ Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	DTMOSIV
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус частини:	Active
фет типу:	N-Channel
технології:	MOSFET (Metal Oxide)
напруга відведення до джерела (vdss):	650 V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	13.7A (Ta)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	250mOhm @ 6.9A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 690µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	35 nC @ 10 V
vgs (макс.):	±30V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	1300 pF @ 300 V
функція fet:	-
Розсіювана потужність (макс.):	130W (Tc)
Робоча температура:	150°C (TJ)
тип монтажу:	Surface Mount
пакет пристрою постачальника:	D2PAK
пакет / футляр:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.