Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення
| Частина виробника | IPS65R1K4C6 |
|---|---|
| Виробник | Rochester Electronics |
| опис | MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3 |
| Категорія | дискретні напівпровідникові вироби |
| Сім'я | транзистори - фети, мосфети - поодинокі |
| Життєвий цикл: | New from this manufacturer. |
| Доставка: | DHL FedEx Ups TNT EMS |
| Оплата | T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union |
| Таблиця даних | IPS65R1K4C6 PDF |
| В наявності | 935 715 |
|---|---|
| Ціна за одиницю | $ 0.35000 |
IPS65R1K4C6 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com
| Тип | опис |
|---|---|
| серії: | CoolMOS™ C6 |
| пакет: | Bulk |
| статус частини: | Active |
| фет типу: | N-Channel |
| технології: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напруга відведення до джерела (vdss): | 650 V |
| струм - безперервний злив (id) при 25°c: | 3.2A (Tc) |
| напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено): | - |
| rds on (max) @ id, vgs: | 1.4Ohm @ 1A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.5V @ 100µA |
| заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs: | 10.5 nC @ 10 V |
| vgs (макс.): | ±20V |
| вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds: | 225 pF @ 100 V |
| функція fet: | - |
| Розсіювана потужність (макс.): | 28W (Tc) |
| Робоча температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип монтажу: | Through Hole |
| пакет пристрою постачальника: | PG-TO251-3 |
| пакет / футляр: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.
We provide DHL, FedEx, UPS, EMS, SF Express, and Registered Air Mail international shipping.
TT in advance (bank transfer), Western Union,PayPal. Customer is responsible for shipping fee, bank charges, duties and taxes.
Copyright © 2024 ZHONG HAI SHENG TECHNOLOGY LIMITED All Rights Reserved.
Заява про конфіденційність | Умови використання | Гарантія якості