IPB024N10N5ATMA1

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	IPB024N10N5ATMA1
Виробник	IR (Infineon Technologies)
опис	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	IPB024N10N5ATMA1 PDF

Доступність

В наявності	467 875
Ціна за одиницю	$ 3.10678

IPB024N10N5ATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IPB024N10N5ATMA1 Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	OptiMOS™
пакет:	Tape & Reel (TR)
статус частини:	Active
фет типу:	N-Channel
технології:	MOSFET (Metal Oxide)
напруга відведення до джерела (vdss):	100 V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	180A (Tc)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	2.4mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.8V @ 183µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	138 nC @ 10 V
vgs (макс.):	±20V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	10200 pF @ 50 V
функція fet:	-
Розсіювана потужність (макс.):	250W (Tc)
Робоча температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип монтажу:	Surface Mount
пакет пристрою постачальника:	PG-TO263-7
пакет / футляр:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.