SPW55N80C3FKSA1

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	SPW55N80C3FKSA1
Виробник	IR (Infineon Technologies)
опис	MOSFET N-CH 800V 54.9A TO247-3
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	SPW55N80C3FKSA1 PDF

Доступність

В наявності	1 007
Ціна за одиницю	$ 12.99000

SPW55N80C3FKSA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SPW55N80C3FKSA1 Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	CoolMOS™ C3
пакет:	Tube
статус частини:	Active
фет типу:	N-Channel
технології:	MOSFET (Metal Oxide)
напруга відведення до джерела (vdss):	800 V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	54.9A (Tc)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	85mOhm @ 32.6A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.9V @ 3.3mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	288 nC @ 10 V
vgs (макс.):	±20V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	7520 pF @ 100 V
функція fet:	-
Розсіювана потужність (макс.):	500W (Tc)
Робоча температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип монтажу:	Through Hole
пакет пристрою постачальника:	PG-TO247-3
пакет / футляр:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.