TP65H300G4LSG

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	TP65H300G4LSG
Виробник	Transphorm
опис	GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	TP65H300G4LSG PDF

Доступність

В наявності	240
Ціна за одиницю	$ 4.02000

TP65H300G4LSG Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

TP65H300G4LSG Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	-
пакет:	Tray
статус частини:	Active
фет типу:	N-Channel
технології:	GaNFET (Gallium Nitride)
напруга відведення до джерела (vdss):	650 V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	6.5A (Tc)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	8V
rds on (max) @ id, vgs:	312mOhm @ 5A, 8V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.6V @ 500µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	9.6 nC @ 8 V
vgs (макс.):	±18V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	760 pF @ 400 V
функція fet:	-
Розсіювана потужність (макс.):	21W (Tc)
Робоча температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип монтажу:	Surface Mount
пакет пристрою постачальника:	3-PQFN (8x8)
пакет / футляр:	3-PowerDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.