GT10J312(Q)

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	GT10J312(Q)
Виробник	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
опис	IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - igbts - одинарні
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	GT10J312(Q) PDF

Доступність

В наявності	926 320
Ціна за одиницю	$ 0.00000

GT10J312(Q) Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

GT10J312(Q) Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	-
пакет:	Tube
статус частини:	Obsolete
тип igbt:	-
напруга - пробій колектора емітера (макс.):	600 V
струм - колектор (ic) (макс.):	10 A
струм - колектор імпульсний (icm):	20 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.7V @ 15V, 10A
потужність - макс:	60 W
енергія перемикання:	-
тип введення:	Standard
затворний заряд:	-
td (вмикання/вимкнення) при 25°c:	400ns/400ns
умова випробування:	300V, 10A, 100Ohm, 15V
час зворотного відновлення (trr):	200 ns
Робоча температура:	150°C (TJ)
тип монтажу:	Surface Mount
пакет / футляр:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
пакет пристрою постачальника:	TO-220SM

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.