GPA030A135MN-FDR

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	GPA030A135MN-FDR
Виробник	SemiQ
опис	IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - igbts - одинарні
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	GPA030A135MN-FDR PDF

Доступність

В наявності	771 939
Ціна за одиницю	$ 0.00000

GPA030A135MN-FDR Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

GPA030A135MN-FDR Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	-
пакет:	Tube
статус частини:	Obsolete
тип igbt:	Trench Field Stop
напруга - пробій колектора емітера (макс.):	1350 V
струм - колектор (ic) (макс.):	60 A
струм - колектор імпульсний (icm):	90 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 30A
потужність - макс:	329 W
енергія перемикання:	4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
тип введення:	Standard
затворний заряд:	300 nC
td (вмикання/вимкнення) при 25°c:	30ns/145ns
умова випробування:	600V, 30A, 5Ohm, 15V
час зворотного відновлення (trr):	450 ns
Робоча температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип монтажу:	Through Hole
пакет / футляр:	TO-3
пакет пристрою постачальника:	TO-3PN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.