HN3C10FUTE85LF

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	HN3C10FUTE85LF
Виробник	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
опис	RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - біполярні (bjt) - рф
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Доступність

В наявності	111
Ціна за одиницю	$ 0.54000

HN3C10FUTE85LF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

HN3C10FUTE85LF Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	-
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус частини:	Active
транзисторного типу:	2 NPN (Dual)
напруга - пробій колектора емітера (макс.):	12V
частота – перех:	7GHz
коефіцієнт шуму (db typ @ f):	1.1dB @ 1GHz
посилення:	11.5dB
потужність - макс:	200mW
посилення струму постійного струму (hfe) (хв.) @ ic, vce:	80 @ 20mA, 10V
струм - колектор (ic) (макс.):	80mA
Робоча температура:	-
тип монтажу:	Surface Mount
пакет / футляр:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
пакет пристрою постачальника:	US6

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.