DF11MR12W1M1B11BOMA1

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	DF11MR12W1M1B11BOMA1
Виробник	Rochester Electronics
опис	IGBT MODULE
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - матриці
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	DF11MR12W1M1B11BOMA1 PDF

Доступність

В наявності	83
Ціна за одиницю	$ 120.00000

DF11MR12W1M1B11BOMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

DF11MR12W1M1B11BOMA1 Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	*
пакет:	Bulk
статус частини:	Active
фет типу:	2 N-Channel (Dual)
функція fet:	Silicon Carbide (SiC)
напруга відведення до джерела (vdss):	1200V (1.2kV)
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	50A
rds on (max) @ id, vgs:	23mOhm @ 50A, 15V
vgs(th) (макс.) @ id:	5.5V @ 20mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	125nC @ 5V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	3950pF @ 800V
потужність - макс:	20mW
Робоча температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип монтажу:	Chassis Mount
пакет / футляр:	Module
пакет пристрою постачальника:	Module

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.