IPG20N10S4L35AATMA1

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	IPG20N10S4L35AATMA1
Виробник	IR (Infineon Technologies)
опис	MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - матриці
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	IPG20N10S4L35AATMA1 PDF

Доступність

В наявності	195 755
Ціна за одиницю	$ 0.66868

IPG20N10S4L35AATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IPG20N10S4L35AATMA1 Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
пакет:	Tape & Reel (TR)
статус частини:	Active
фет типу:	2 N-Channel (Dual)
функція fet:	Logic Level Gate
напруга відведення до джерела (vdss):	100V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	20A
rds on (max) @ id, vgs:	35mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.1V @ 16µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	17.4nC @ 10V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	1105pF @ 25V
потужність - макс:	43W
Робоча температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип монтажу:	Surface Mount, Wettable Flank
пакет / футляр:	8-PowerVDFN
пакет пристрою постачальника:	PG-TDSON-8-10

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.