TW070J120B,S1Q

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	TW070J120B,S1Q
Виробник	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
опис	SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Доступність

В наявності	273
Ціна за одиницю	$ 33.97000

TW070J120B,S1Q Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

TW070J120B,S1Q Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	*
пакет:	Tube
статус частини:	Active
фет типу:	N-Channel
технології:	SiCFET (Silicon Carbide)
напруга відведення до джерела (vdss):	1200 V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	36A (Tc)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	20V
rds on (max) @ id, vgs:	90mOhm @ 18A, 20V
vgs(th) (макс.) @ id:	5.8V @ 20mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	67 nC @ 20 V
vgs (макс.):	±25V, -10V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	1680 pF @ 800 V
функція fet:	Standard
Розсіювана потужність (макс.):	272W (Tc)
Робоча температура:	-55°C ~ 175°C
тип монтажу:	Through Hole
пакет пристрою постачальника:	TO-3P(N)
пакет / футляр:	TO-3P-3, SC-65-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.