RS1E350BNTB

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	RS1E350BNTB
Виробник	ROHM Semiconductor
опис	MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	RS1E350BNTB PDF

Доступність

В наявності	1 899
Ціна за одиницю	$ 1.77000

RS1E350BNTB Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

RS1E350BNTB Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	-
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус частини:	Active
фет типу:	N-Channel
технології:	MOSFET (Metal Oxide)
напруга відведення до джерела (vdss):	30 V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	35A (Ta)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.7mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 1mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	185 nC @ 10 V
vgs (макс.):	±20V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	7900 pF @ 15 V
функція fet:	-
Розсіювана потужність (макс.):	35W (Tc)
Робоча температура:	150°C (TJ)
тип монтажу:	Surface Mount
пакет пристрою постачальника:	8-HSOP
пакет / футляр:	8-PowerTDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.