IPD50R650CEAUMA1

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	IPD50R650CEAUMA1
Виробник	IR (Infineon Technologies)
опис	MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	IPD50R650CEAUMA1 PDF

Доступність

В наявності	2 227
Ціна за одиницю	$ 0.84000

IPD50R650CEAUMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IPD50R650CEAUMA1 Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	CoolMOS™ CE
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус частини:	Active
фет типу:	N-Channel
технології:	MOSFET (Metal Oxide)
напруга відведення до джерела (vdss):	500 V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	9A (Tc)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	13V
rds on (max) @ id, vgs:	650mOhm @ 1.8A, 13V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 150µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	15 nC @ 10 V
vgs (макс.):	±20V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	342 pF @ 100 V
функція fet:	-
Розсіювана потужність (макс.):	69W (Tc)
Робоча температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип монтажу:	Surface Mount
пакет пристрою постачальника:	PG-TO252-3-344
пакет / футляр:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.