IRF7473PBF

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	IRF7473PBF
Виробник	Rochester Electronics
опис	HEXFET POWER MOSFET
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	IRF7473PBF PDF

Доступність

В наявності	611
Ціна за одиницю	$ 0.47000

IRF7473PBF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IRF7473PBF Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	HEXFET®
пакет:	Bulk
статус частини:	Active
фет типу:	N-Channel
технології:	MOSFET (Metal Oxide)
напруга відведення до джерела (vdss):	100 V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	6.9A (Ta)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	26mOhm @ 4.1A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	5.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	61 nC @ 10 V
vgs (макс.):	±20V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	3.18 pF @ 25 V
функція fet:	-
Розсіювана потужність (макс.):	2.5W (Ta)
Робоча температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип монтажу:	Surface Mount
пакет пристрою постачальника:	8-SO
пакет / футляр:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.