G3R160MT12J

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	G3R160MT12J
Виробник	GeneSiC Semiconductor
опис	SIC MOSFET N-CH 22A TO263-7
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	G3R160MT12J PDF

Доступність

В наявності	438
Ціна за одиницю	$ 7.73000

G3R160MT12J Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

G3R160MT12J Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	G3R™
пакет:	Tube
статус частини:	Active
фет типу:	N-Channel
технології:	SiCFET (Silicon Carbide)
напруга відведення до джерела (vdss):	1200 V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	22A (Tc)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	15V
rds on (max) @ id, vgs:	192mOhm @ 10A, 15V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.69V @ 5mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	28 nC @ 15 V
vgs (макс.):	±15V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	730 pF @ 800 V
функція fet:	-
Розсіювана потужність (макс.):	128W (Tc)
Робоча температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип монтажу:	Surface Mount
пакет пристрою постачальника:	TO-263-7
пакет / футляр:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.