FDG314P

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	FDG314P
Виробник	Rochester Electronics
опис	MOSFET P-CH 25V 650MA SC88
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	FDG314P PDF

Доступність

В наявності	335 960
Ціна за одиницю	$ 0.10000

FDG314P Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

FDG314P Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	-
пакет:	Bulk
статус частини:	Obsolete
фет типу:	P-Channel
технології:	MOSFET (Metal Oxide)
напруга відведення до джерела (vdss):	25 V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	650mA (Ta)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	2.7V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	1.5 nC @ 4.5 V
vgs (макс.):	±8V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	63 pF @ 10 V
функція fet:	-
Розсіювана потужність (макс.):	750mW (Ta)
Робоча температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип монтажу:	Surface Mount
пакет пристрою постачальника:	SC-88 (SC-70-6)
пакет / футляр:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.