TK35N65W5,S1F

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	TK35N65W5,S1F
Виробник	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
опис	MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	TK35N65W5,S1F PDF

Доступність

В наявності	233 772
Ціна за одиницю	$ 7.45267

TK35N65W5,S1F Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

TK35N65W5,S1F Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	DTMOSIV
пакет:	Tube
статус частини:	Active
фет типу:	N-Channel
технології:	MOSFET (Metal Oxide)
напруга відведення до джерела (vdss):	650 V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	35A (Ta)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	95mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4.5V @ 2.1mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	115 nC @ 10 V
vgs (макс.):	±30V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	4100 pF @ 300 V
функція fet:	-
Розсіювана потужність (макс.):	270W (Tc)
Робоча температура:	150°C (TJ)
тип монтажу:	Through Hole
пакет пристрою постачальника:	TO-247
пакет / футляр:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.