G2R1000MT17D

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	G2R1000MT17D
Виробник	GeneSiC Semiconductor
опис	SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	G2R1000MT17D PDF

Доступність

В наявності	267 553
Ціна за одиницю	$ 4.86000

G2R1000MT17D Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

G2R1000MT17D Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	G2R™
пакет:	Tube
статус частини:	Active
фет типу:	N-Channel
технології:	SiCFET (Silicon Carbide)
напруга відведення до джерела (vdss):	1700 V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	4A (Tc)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	20V
rds on (max) @ id, vgs:	1.2Ohm @ 2A, 20V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 2mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	-
vgs (макс.):	+20V, -5V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	139 pF @ 1000 V
функція fet:	-
Розсіювана потужність (макс.):	53W (Tc)
Робоча температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип монтажу:	Through Hole
пакет пристрою постачальника:	TO-247-3
пакет / футляр:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.