SIHH070N60EF-T1GE3

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	SIHH070N60EF-T1GE3
Виробник	Vishay / Siliconix
опис	MOSFET N-CH 600V 36A PPAK 8 X 8
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	SIHH070N60EF-T1GE3 PDF

Доступність

В наявності	2 280
Ціна за одиницю	$ 8.22000

SIHH070N60EF-T1GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SIHH070N60EF-T1GE3 Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	EF
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус частини:	Active
фет типу:	N-Channel
технології:	MOSFET (Metal Oxide)
напруга відведення до джерела (vdss):	600 V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	36A (Tc)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	71mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	75 nC @ 10 V
vgs (макс.):	±30V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	2647 pF @ 100 V
функція fet:	-
Розсіювана потужність (макс.):	202W (Tc)
Робоча температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип монтажу:	Surface Mount
пакет пристрою постачальника:	PowerPAK® 8 x 8
пакет / футляр:	8-PowerTDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.