IGT60R190D1SATMA1

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	IGT60R190D1SATMA1
Виробник	IR (Infineon Technologies)
опис	GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	IGT60R190D1SATMA1 PDF

Доступність

В наявності	50
Ціна за одиницю	$ 15.05000

IGT60R190D1SATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IGT60R190D1SATMA1 Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	CoolGaN™
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус частини:	Active
фет типу:	N-Channel
технології:	GaNFET (Gallium Nitride)
напруга відведення до джерела (vdss):	600 V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	12.5A (Tc)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	-
rds on (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (макс.) @ id:	1.6V @ 960µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	-
vgs (макс.):	-10V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	157 pF @ 400 V
функція fet:	-
Розсіювана потужність (макс.):	55.5W (Tc)
Робоча температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип монтажу:	Surface Mount
пакет пристрою постачальника:	PG-HSOF-8-3
пакет / футляр:	8-PowerSFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.