GA50JT12-247

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	GA50JT12-247
Виробник	GeneSiC Semiconductor
опис	TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	GA50JT12-247 PDF

Доступність

В наявності	6
Ціна за одиницю	$ 99.01000

GA50JT12-247 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

GA50JT12-247 Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	-
пакет:	Tube
статус частини:	Obsolete
фет типу:	-
технології:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
напруга відведення до джерела (vdss):	1200 V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	100A (Tc)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	-
rds on (max) @ id, vgs:	25mOhm @ 50A
vgs(th) (макс.) @ id:	-
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	-
vgs (макс.):	-
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	7209 pF @ 800 V
функція fet:	-
Розсіювана потужність (макс.):	583W (Tc)
Робоча температура:	175°C (TJ)
тип монтажу:	Through Hole
пакет пристрою постачальника:	TO-247AB
пакет / футляр:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.