RF4E100AJTCR

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	RF4E100AJTCR
Виробник	ROHM Semiconductor
опис	MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	RF4E100AJTCR PDF

Доступність

В наявності	3 002
Ціна за одиницю	$ 0.90000

RF4E100AJTCR Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

RF4E100AJTCR Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	-
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус частини:	Active
фет типу:	N-Channel
технології:	MOSFET (Metal Oxide)
напруга відведення до джерела (vdss):	30 V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	10A (Ta)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	12.4mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.5V @ 1mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	13 nC @ 4.5 V
vgs (макс.):	±12V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	1460 pF @ 15 V
функція fet:	-
Розсіювана потужність (макс.):	2W (Tc)
Робоча температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип монтажу:	Surface Mount
пакет пристрою постачальника:	HUML2020L8
пакет / футляр:	8-PowerUDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.