GA08JT17-247

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	GA08JT17-247
Виробник	GeneSiC Semiconductor
опис	TRANS SJT 1700V 8A TO247AB
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	GA08JT17-247 PDF

Доступність

В наявності	1 877 500
Ціна за одиницю	$ 52.14000

GA08JT17-247 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

GA08JT17-247 Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	-
пакет:	Tube
статус частини:	Obsolete
фет типу:	-
технології:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
напруга відведення до джерела (vdss):	1700 V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	8A (Tc) (90°C)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	-
rds on (max) @ id, vgs:	250mOhm @ 8A
vgs(th) (макс.) @ id:	-
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	-
vgs (макс.):	-
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	-
функція fet:	-
Розсіювана потужність (макс.):	48W (Tc)
Робоча температура:	175°C (TJ)
тип монтажу:	Through Hole
пакет пристрою постачальника:	TO-247AB
пакет / футляр:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.