TPH1R712MD,L1Q

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	TPH1R712MD,L1Q
Виробник	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
опис	MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	TPH1R712MD,L1Q PDF

Доступність

В наявності	208 807
Ціна за одиницю	$ 1.42000

TPH1R712MD,L1Q Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

TPH1R712MD,L1Q Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	U-MOSVI
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус частини:	Active
фет типу:	P-Channel
технології:	MOSFET (Metal Oxide)
напруга відведення до джерела (vdss):	20 V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	60A (Tc)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	1.7mOhm @ 30A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.2V @ 1mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	182 nC @ 5 V
vgs (макс.):	±12V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	10900 pF @ 10 V
функція fet:	-
Розсіювана потужність (макс.):	78W (Tc)
Робоча температура:	150°C (TJ)
тип монтажу:	Surface Mount
пакет пристрою постачальника:	8-SOP Advance (5x5)
пакет / футляр:	8-PowerVDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.