SCTW35N65G2VAG

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	SCTW35N65G2VAG
Виробник	STMicroelectronics
опис	SICFET N-CH 650V 45A HIP247
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	SCTW35N65G2VAG PDF

Доступність

В наявності	492
Ціна за одиницю	$ 14.67000

SCTW35N65G2VAG Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SCTW35N65G2VAG Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	Automotive, AEC-Q101
пакет:	Tube
статус частини:	Active
фет типу:	N-Channel
технології:	SiCFET (Silicon Carbide)
напруга відведення до джерела (vdss):	650 V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	45A (Tc)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	18V, 20V
rds on (max) @ id, vgs:	67mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (макс.) @ id:	5V @ 1mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	73 nC @ 20 V
vgs (макс.):	+22V, -10V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	1370 pF @ 400 V
функція fet:	-
Розсіювана потужність (макс.):	240W (Tc)
Робоча температура:	-55°C ~ 200°C (TJ)
тип монтажу:	Through Hole
пакет пристрою постачальника:	HiP247™
пакет / футляр:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.