IRLD120PBF

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	IRLD120PBF
Виробник	Vishay / Siliconix
опис	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	IRLD120PBF PDF

Доступність

В наявності	6 130
Ціна за одиницю	$ 0.92000

IRLD120PBF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IRLD120PBF Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	-
пакет:	Tube
статус частини:	Active
фет типу:	N-Channel
технології:	MOSFET (Metal Oxide)
напруга відведення до джерела (vdss):	100 V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	1.3A (Ta)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	4V, 5V
rds on (max) @ id, vgs:	270mOhm @ 780mA, 5V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	12 nC @ 5 V
vgs (макс.):	±10V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	490 pF @ 25 V
функція fet:	-
Розсіювана потужність (макс.):	1.3W (Ta)
Робоча температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип монтажу:	Through Hole
пакет пристрою постачальника:	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
пакет / футляр:	4-DIP (0.300", 7.62mm)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.