IPS80R1K4P7AKMA1

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	IPS80R1K4P7AKMA1
Виробник	IR (Infineon Technologies)
опис	MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	IPS80R1K4P7AKMA1 PDF

Доступність

В наявності	235 490
Ціна за одиницю	$ 0.47863

IPS80R1K4P7AKMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IPS80R1K4P7AKMA1 Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	CoolMOS™
пакет:	Tube
статус частини:	Active
фет типу:	N-Channel
технології:	MOSFET (Metal Oxide)
напруга відведення до джерела (vdss):	800 V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	4A (Tc)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.4Ohm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 700µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	10 nC @ 10 V
vgs (макс.):	±20V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	-
функція fet:	Super Junction
Розсіювана потужність (макс.):	32W (Tc)
Робоча температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип монтажу:	Through Hole
пакет пристрою постачальника:	PG-TO251-3
пакет / футляр:	TO-251-3 Stub Leads, IPak

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.