IRLU2905ZPBF

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	IRLU2905ZPBF
Виробник	Rochester Electronics
опис	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	IRLU2905ZPBF PDF

Доступність

В наявності	188 528
Ціна за одиницю	$ 0.59000

IRLU2905ZPBF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IRLU2905ZPBF Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	HEXFET®
пакет:	Bulk
статус частини:	Active
фет типу:	N-Channel
технології:	MOSFET (Metal Oxide)
напруга відведення до джерела (vdss):	55 V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	42A (Tc)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	13.5mOhm @ 36A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	35 nC @ 5 V
vgs (макс.):	±16V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	1.57 pF @ 25 V
функція fet:	-
Розсіювана потужність (макс.):	110W (Tc)
Робоча температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип монтажу:	Through Hole
пакет пристрою постачальника:	IPAK (TO-251)
пакет / футляр:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.