BSB104N08NP3GXUSA1

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	BSB104N08NP3GXUSA1
Виробник	IR (Infineon Technologies)
опис	MOSFET N-CH 80V 13A/50A 2WDSON
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	BSB104N08NP3GXUSA1 PDF

Доступність

В наявності	471 450
Ціна за одиницю	$ 0.78768

BSB104N08NP3GXUSA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

BSB104N08NP3GXUSA1 Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	OptiMOS™
пакет:	Tape & Reel (TR)
статус частини:	Active
фет типу:	N-Channel
технології:	MOSFET (Metal Oxide)
напруга відведення до джерела (vdss):	80 V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	13A (Ta), 50A (Tc)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	10.4mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 40µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	31 nC @ 10 V
vgs (макс.):	±20V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	2100 pF @ 40 V
функція fet:	-
Розсіювана потужність (макс.):	2.8W (Ta), 42W (Tc)
Робоча температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип монтажу:	Surface Mount
пакет пристрою постачальника:	MG-WDSON-2, CanPAK M™
пакет / футляр:	3-WDSON

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.