STGB30H65DFB2

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	STGB30H65DFB2
Виробник	STMicroelectronics
опис	TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - igbts - одинарні
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Доступність

В наявності	85
Ціна за одиницю	$ 2.22000

STGB30H65DFB2 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

STGB30H65DFB2 Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	HB2
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус частини:	Active
тип igbt:	Trench Field Stop
напруга - пробій колектора емітера (макс.):	650 V
струм - колектор (ic) (макс.):	50 A
струм - колектор імпульсний (icm):	90 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 30A
потужність - макс:	167 W
енергія перемикання:	270µJ (on), 310µJ (off)
тип введення:	Standard
затворний заряд:	90 nC
td (вмикання/вимкнення) при 25°c:	18.4ns/71ns
умова випробування:	400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
час зворотного відновлення (trr):	115 ns
Робоча температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип монтажу:	Surface Mount
пакет / футляр:	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
пакет пристрою постачальника:	D2PAK-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.