HGTD1N120BNS9A

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	HGTD1N120BNS9A
Виробник	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
опис	IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - igbts - одинарні
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	HGTD1N120BNS9A PDF

Доступність

В наявності	7 588
Ціна за одиницю	$ 1.51000

HGTD1N120BNS9A Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

HGTD1N120BNS9A Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	-
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус частини:	Active
тип igbt:	NPT
напруга - пробій колектора емітера (макс.):	1200 V
струм - колектор (ic) (макс.):	5.3 A
струм - колектор імпульсний (icm):	6 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.9V @ 15V, 1A
потужність - макс:	60 W
енергія перемикання:	70µJ (on), 90µJ (off)
тип введення:	Standard
затворний заряд:	14 nC
td (вмикання/вимкнення) при 25°c:	15ns/67ns
умова випробування:	960V, 1A, 82Ohm, 15V
час зворотного відновлення (trr):	-
Робоча температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип монтажу:	Surface Mount
пакет / футляр:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
пакет пристрою постачальника:	TO-252AA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.