NGTB10N60R2DT4G

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	NGTB10N60R2DT4G
Виробник	Rochester Electronics
опис	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - igbts - одинарні
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	NGTB10N60R2DT4G PDF

Доступність

В наявності	2 630
Ціна за одиницю	$ 0.58000

NGTB10N60R2DT4G Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

NGTB10N60R2DT4G Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	-
пакет:	Bulk
статус частини:	Active
тип igbt:	-
напруга - пробій колектора емітера (макс.):	600 V
струм - колектор (ic) (макс.):	20 A
струм - колектор імпульсний (icm):	40 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 10A
потужність - макс:	72 W
енергія перемикання:	412µJ (on), 140µJ (off)
тип введення:	Standard
затворний заряд:	53 nC
td (вмикання/вимкнення) при 25°c:	48ns/120ns
умова випробування:	300V, 10A, 30Ohm, 15V
час зворотного відновлення (trr):	90 ns
Робоча температура:	175°C (TJ)
тип монтажу:	Surface Mount
пакет / футляр:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
пакет пристрою постачальника:	DPAK

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.