RDN080N25FU6

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	RDN080N25FU6
Виробник	ROHM Semiconductor
опис	MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	RDN080N25FU6 PDF

Доступність

В наявності	2 313 265
Ціна за одиницю	$ 0.00000

RDN080N25FU6 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

RDN080N25FU6 Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	-
пакет:	Bulk
статус частини:	Obsolete
фет типу:	N-Channel
технології:	MOSFET (Metal Oxide)
напруга відведення до джерела (vdss):	250 V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	8A (Ta)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	500mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 1mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	30 nC @ 10 V
vgs (макс.):	±30V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	543 pF @ 10 V
функція fet:	-
Розсіювана потужність (макс.):	35W (Tc)
Робоча температура:	150°C (TJ)
тип монтажу:	Through Hole
пакет пристрою постачальника:	TO-220FN
пакет / футляр:	TO-220-3 Full Pack

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.