Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення
| Частина виробника | GA50JT06-258 |
|---|---|
| Виробник | GeneSiC Semiconductor |
| опис | TRANS SJT 600V 100A TO258 |
| Категорія | дискретні напівпровідникові вироби |
| Сім'я | транзистори - фети, мосфети - поодинокі |
| Життєвий цикл: | New from this manufacturer. |
| Доставка: | DHL FedEx Ups TNT EMS |
| Оплата | T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union |
| Таблиця даних | GA50JT06-258 PDF |
| В наявності | 890 903 |
|---|---|
| Ціна за одиницю | $ 669.90000 |
GA50JT06-258 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com
| Тип | опис |
|---|---|
| серії: | - |
| пакет: | Bulk |
| статус частини: | Active |
| фет типу: | - |
| технології: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| напруга відведення до джерела (vdss): | 600 V |
| струм - безперервний злив (id) при 25°c: | 100A (Tc) |
| напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено): | - |
| rds on (max) @ id, vgs: | 25mOhm @ 50A |
| vgs(th) (макс.) @ id: | - |
| заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs: | - |
| vgs (макс.): | - |
| вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds: | - |
| функція fet: | - |
| Розсіювана потужність (макс.): | 769W (Tc) |
| Робоча температура: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| тип монтажу: | Through Hole |
| пакет пристрою постачальника: | TO-258 |
| пакет / футляр: | TO-258-3, TO-258AA |
We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.
We provide DHL, FedEx, UPS, EMS, SF Express, and Registered Air Mail international shipping.
TT in advance (bank transfer), Western Union,PayPal. Customer is responsible for shipping fee, bank charges, duties and taxes.
Copyright © 2024 ZHONG HAI SHENG TECHNOLOGY LIMITED All Rights Reserved.
Заява про конфіденційність | Умови використання | Гарантія якості