IRFSL3607PBF

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	IRFSL3607PBF
Виробник	Rochester Electronics
опис	HEXFET POWER MOSFET
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	IRFSL3607PBF PDF

Доступність

В наявності	1 471
Ціна за одиницю	$ 0.49000

IRFSL3607PBF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IRFSL3607PBF Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	HEXFET®
пакет:	Bulk
статус частини:	Active
фет типу:	N-Channel
технології:	MOSFET (Metal Oxide)
напруга відведення до джерела (vdss):	75 V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	80A (Tc)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	9mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 100µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	84 nC @ 10 V
vgs (макс.):	±20V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	3.07 pF @ 50 V
функція fet:	-
Розсіювана потужність (макс.):	140W (Tc)
Робоча температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип монтажу:	Through Hole
пакет пристрою постачальника:	TO-262
пакет / футляр:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.