TK10J80E,S1E

Зображення наведено для довідки, зв’яжіться з нами, щоб отримати реальне зображення

Частина виробника	TK10J80E,S1E
Виробник	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
опис	MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
Категорія	дискретні напівпровідникові вироби
Сім'я	транзистори - фети, мосфети - поодинокі
Життєвий цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Таблиця даних	TK10J80E,S1E PDF

Доступність

В наявності	469 600
Ціна за одиницю	$ 2.73480

TK10J80E,S1E Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

TK10J80E,S1E Технічні характеристики

Тип	опис
серії:	π-MOSVIII
пакет:	Tube
статус частини:	Active
фет типу:	N-Channel
технології:	MOSFET (Metal Oxide)
напруга відведення до джерела (vdss):	800 V
струм - безперервний злив (id) при 25°c:	10A (Ta)
напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	1Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 1mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs:	46 nC @ 10 V
vgs (макс.):	±30V
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds:	2000 pF @ 25 V
функція fet:	-
Розсіювана потужність (макс.):	250W (Tc)
Робоча температура:	150°C (TJ)
тип монтажу:	Through Hole
пакет пристрою постачальника:	TO-3P(N)
пакет / футляр:	TO-3P-3, SC-65-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.